主讲人：夏金松 教授（华中科技大学武汉光电国家研究中心）

题目：薄膜铌酸锂光子集成芯片

时间：2024年8月21日(周三)下午16:30

地点：格致楼3016会议室

邀请人：袁明瑞

报告摘要：

薄膜铌酸锂是新一代光子集成平台。基于薄膜铌酸锂，采用适合量产的半导工艺可实现单片集成的高性能薄膜铌酸锂光子芯片。薄膜铌酸锂吸引了学术界和产业界的广泛关注，已成为全球研究热点。本文将介绍基于薄膜铌酸锂的高速光子芯片、器件以及光学非线性效应等方面的研究进展。

个人简介：

夏金松，华中科技大学二级教授，博士生导师，获中国科学技术大学学士学位，中国科学院博士学位，科技部重点研发计划项目首席科学家，入选国家级人才计划领军人才。主要研究领域为光电子芯片与器件，曾主持科技部重点研发计划项目、自然科学基金重点项目、湖北省创新群体、省级重大项目等。在Science Advance、Nature Communications、Physics Review Letter等期刊发表SCI文章160余篇。